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DATA SHEET
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
μ PA2520
N-CHANNEL MOS FET
FOR SWITCHING
DESCRIPTION
PACKAGE DRAWING (Unit: mm)
The μ PA2520 is N-channel MOS Field Effect Transistor
designed for DC/DC converter and power management
applications of portable equipments.
8
2.9 ± 0.1
0.65
5
A
0.17 ± 0.05
FEATURES
? Low on-state resistance
R DS(on)1 = 13.2 m Ω MAX. (V GS = 10 V, I D = 10 A)
R DS(on)2 = 17 m Ω MAX. (V GS = 4.5 V, I D = 5.0 A)
0 to 0.025
? Built-in gate protection diode
? Small and surface mount package (8-pin VSOF (2429))
? Pb-free (This product does not contain Pb in external electrode
and other parts.)
0.32 ± 0.05
1
4
0.05 M S A
1, 2, 3 : Source
4 : Gate
5, 6, 7, 8: Drain
S
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T A = 25 ° C, All terminals are connected.)
Drain to Source Voltage (V GS = 0 V)
Gate to Source Voltage (V DS = 0 V)
V DSS
V GSS
30
± 20
V
V
Drain Current (DC)
Drain Current (pulse)
Note1
I D(DC)
I D(pulse)
± 10
± 40
A
A
EQUIVALENT CIRCUIT
Total Power Dissipation
Note2
Total Power Dissipation (PW = 5 sec)
Note2
P T1
P T2
1.0
2.2
W
W
Drain
Channel Temperature
Storage Temperature
Single Avalanche Current
Note3
T ch
T stg
I AS
150
? 55 to +150
10
° C
° C
A
Gate
Body
Diode
Single Avalanche Energy
Note3
E AS
10
mJ
Gate
Notes 1. PW ≤ 10 μ s, Duty Cycle ≤ 1%
Protection
Diode
Source
2. Mounted on FR-4 board of 25.4 mm x 25.4 mm x 0.8 mmt
3. Starting T ch = 25 ° C, V DD = 15 V, R G = 25 Ω , V GS = 20 → 0 V, L = 100 μ H
Remark The diode connected between the gate and source of the transistor serves as a protector against ESD.
When this device actually used, an additional protection circuit is externally required if a voltage exceeding
the rated voltage may be applied to this device.
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confirm that this is the latest version.
Not all products and/or types are available in every country. Please check with an NEC Electronics
sales representative for availability and additional information.
Document No. G19186EJ1V0DS00 (1st edition)
Date Published March 2008 NS
Printed in Japan
2008
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